SI5618-TP是微電子元件公司旗下的單 FET、MOSFET 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供SI5618-TP現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供SI5618-TP datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 830mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
SI5618-TP 是由 微電子元件公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT23。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
SI5618-TP 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（150mOhm @ 1.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（9.5 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（580 pF @ 15 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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