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PJP45N06A_T0_00001 磐成單 FET、MOSFET
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PJP45N06A_T0_00001 磐成單 FET、MOSFET

品牌:磐成 分類:單 FET、MOSFET 描述:60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
¥6.62

磐成 PJP45N06A_T0_00001 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數

Product StatusNot For New Designs
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2256 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)96W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220AB
Package / CaseTO-220-3

PJP45N06A_T0_00001 磐成單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數與選型指南

PJP45N06A_T0_00001 是由 磐成 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M。該器件的核心參數包括:Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。

PJP45N06A_T0_00001 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(12mOhm @ 20A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.5V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(39 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(2256 pF @ 25 V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。

關于 磐成:PANJIT(磐成)作為一家全球性的集成器件制造商(IDM),憑借其深厚的技術積淀和前瞻性的發(fā)展戰(zhàn)略,致力于為全球客戶提供卓越的電子元器件解決方案。公司擁有豐富的產品線,涵蓋了廣泛的電子元件類型,包括高性能的MOSFET、高效率的肖特基二極管、前沿的碳化硅(SiC)器件、經典的雙極結型晶體管(BJT)、整流橋等關鍵電子元器件。這些產品憑借其出色的性能和可靠的質量,廣泛應用于各種嚴苛的電子設備之中。

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