IQE050N08NM5CGATMA1 英飛凌科技單 FET、MOSFET
英飛凌科技 IQE050N08NM5CGATMA1 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 101A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 49μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.2 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 40 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 100W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Supplier Device Package | PG-TTFN-9-1 |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
IQE050N08NM5CGATMA1 英飛凌科技單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IQE050N08NM5CGATMA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V。
IQE050N08NM5CGATMA1 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（5mOhm @ 20A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.8V @ 49μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（43.2 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2900 pF @ 40 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
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