CSD23203W 德州儀器單 FET、MOSFET
德州儀器 CSD23203W 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | -6V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 914 pF @ 4 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Package / Case | 6-UFBGA, DSBGA |
CSD23203W 德州儀器單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
CSD23203W 是由 德州儀器 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V。
CSD23203W 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（6.3 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（-6V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（914 pF @ 4 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 德州儀器：德州儀器公司（Texas Instruments Incorporated，簡(jiǎn)稱(chēng)TI）是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造企業(yè)，專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)模擬集成電路和嵌入式處理器。通過(guò)匯聚全球最杰出的人才，TI不斷創(chuàng)造出塑造科技未來(lái)的創(chuàng)新成果。TI正助力超過(guò)10萬(wàn)名客戶(hù)在當(dāng)下變革未來(lái)。
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