CSD25484F4 德州儀器單 FET、MOSFET

CSD25484F4 德州儀器單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

CSD25484F4 是由 德州儀器 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V。

CSD25484F4 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（94mOhm @ 500mA, 8V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.42 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（-12V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（230 pF @ 10 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 德州儀器：德州儀器公司（Texas Instruments Incorporated，簡(jiǎn)稱TI）是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造企業(yè)，專注于開(kāi)發(fā)模擬集成電路和嵌入式處理器。通過(guò)匯聚全球最杰出的人才，TI不斷創(chuàng)造出塑造科技未來(lái)的創(chuàng)新成果。TI正助力超過(guò)10萬(wàn)名客戶在當(dāng)下變革未來(lái)。

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