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FK6K02010L 松下單 FET、MOSFET
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FK6K02010L 松下單 FET、MOSFET

品牌:松下 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 20V 4.5A WSMINI6
¥5.40

松下 FK6K02010L 單 FET、MOSFET

FK6K02010L是松下旗下的單 FET、MOSFET 產品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供FK6K02010L現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供FK6K02010L datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。

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規(guī)格參數

Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1730 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)700mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageWSMini6-F1-B
Package / Case6-SMD, Flat Leads

FK6K02010L 松下單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數與選型指南

FK6K02010L 是由 松下 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 20V 4.5A WSMINI6。該器件的核心參數包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V。

FK6K02010L 共有 15 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(17.5mOhm @ 2A, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1.3V @ 1mA)、Vgs (Max)(±10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1730 pF @ 10 V)、Power Dissipation (Max)(700mW (Ta)) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

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FK6K02010L常見問題

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