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CMLDM7120G TR PBFREE 中央半導體單 FET、MOSFET
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CMLDM7120G TR PBFREE 中央半導體單 FET、MOSFET

品牌:中央半導體 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 20V 1A SOT563
¥5.47

中央半導體 CMLDM7120G TR PBFREE 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)150mW (Ta)
Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-563
Package / CaseSOT-563, SOT-666

CMLDM7120G TR PBFREE 中央半導體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

CMLDM7120G TR PBFREE 是由 中央半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 20V 1A SOT563。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V。

CMLDM7120G TR PBFREE 共有 16 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(100mOhm @ 500mA, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1.2V @ 1mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(2.4 nC @ 4.5 V)、Vgs (Max)(8V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(220 pF @ 10 V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 中央半導體:Central Semiconductor,中文名「中央半導體」,自1974年起,便致力于為全球電子產(chǎn)品制造創(chuàng)新型分立式半導體元器件。作為業(yè)界資深的電子元件制造商,中央半導體在數(shù)十年的發(fā)展歷程中,憑借其卓越的技術實力和對品質(zhì)的不懈追求,贏得了廣泛的市場認可。其核心產(chǎn)品線涵蓋了種類繁多的電子元件,包括但不限于標準及定制化的小信號晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。這些高質(zhì)量的IC芯片和分立半導體元件,是現(xiàn)代電子設備不可或缺的組成部分。

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CMLDM7120G TR PBFREE常見問題

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