FJ4B01120L1是松下旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供FJ4B01120L1現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供FJ4B01120L1 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 814 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 370mW (Ta) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | ULGA004-W-1010-RA01 |
| Package / Case | 4-XFLGA, CSP |
FJ4B01120L1 是由 松下 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V。
FJ4B01120L1 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（51mOhm @ 2A, 4.5V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 2mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（10.7 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（814 pF @ 10 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 松下：松下工業(yè)設(shè)備銷售公司美國分公司是松下北美公司旗下的工業(yè)元件和電子設(shè)備部門。松下工業(yè)設(shè)備銷售公司美國分公司提供的關(guān)鍵元件驅(qū)動(dòng)著數(shù)百萬用戶日常使用的家用電器、消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、商用及醫(yī)療保健產(chǎn)品。我們廣泛的高質(zhì)量工業(yè)產(chǎn)品、全球制造網(wǎng)絡(luò)、先進(jìn)的研發(fā)設(shè)施以及對(duì)客戶服務(wù)的承諾，使我們成為全球最知名的高科技電子產(chǎn)品原始設(shè)備制造商的首選供應(yīng)商。從最小的電阻器到最高技術(shù)的無線通信模塊，松下應(yīng)有盡有！選擇松下不僅僅意味著選擇一個(gè)您熟知并信賴的品牌，更意味著選擇行業(yè)內(nèi)最優(yōu)質(zhì)的元件。
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