S2M0080120K是桑德斯微電子（南京）有限公司旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供S2M0080120K現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供S2M0080120K datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 20 V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1324 pF @ 1000 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Package / Case | TO-247-4 |
S2M0080120K 是由 桑德斯微電子（南京）有限公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V。
S2M0080120K 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（100mOhm @ 20A, 20V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 10mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（54 nC @ 20 V）、Vgs (Max)（+25V, -10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1324 pF @ 1000 V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 桑德斯微電子（南京）有限公司：桑德斯微電子（南京）有限公司（SMC Diode Solutions）成立于1997年，是一家擁有深厚行業(yè)根基的電子元器件制造商。SMC的前身是一家大型美國高可靠性（HI-REL）半導體公司的商業(yè)晶圓廠，這段經(jīng)歷賦予了SMC卓越的制造工藝和對產(chǎn)品質(zhì)量的極致追求。作為一家專業(yè)的電子元件供應(yīng)商，SMC專注于二極管及相關(guān)半導體元器件的設(shè)計、制造和銷售，其產(chǎn)品憑借出色的性能和嚴格的質(zhì)量控制，在全球市場贏得了廣泛認可。
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