S2M0040120D是桑德斯微電子（南京）有限公司旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供S2M0040120D現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供S2M0040120D datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
S2M0040120D 是由 桑德斯微電子（南京）有限公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Mounting Type: Through Hole、Supplier Device Package: TO-247-3。
S2M0040120D 共有 7 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Package / Case（TO-247-3） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
關于 桑德斯微電子（南京）有限公司：桑德斯微電子（南京）有限公司（SMC Diode Solutions）成立于1997年，是一家擁有深厚行業(yè)根基的電子元器件制造商。SMC的前身是一家大型美國高可靠性（HI-REL）半導體公司的商業(yè)晶圓廠，這段經(jīng)歷賦予了SMC卓越的制造工藝和對產(chǎn)品質(zhì)量的極致追求。作為一家專業(yè)的電子元件供應商，SMC專注于二極管及相關半導體元器件的設計、制造和銷售，其產(chǎn)品憑借出色的性能和嚴格的質(zhì)量控制，在全球市場贏得了廣泛認可。
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