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GPI65015DFN 鎵能單 FET、MOSFET
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GPI65015DFN 鎵能單 FET、MOSFET

品牌:鎵能 分類:單 FET、MOSFET 描述:GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8
¥54.00

鎵能 GPI65015DFN 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 3.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.3 nC @ 6 V
Vgs (Max)+7.5V, -12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds116 pF @ 400 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)-
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageDie
Package / CaseDie

GPI65015DFN 鎵能單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

GPI65015DFN 是由 鎵能 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。GANFET N-CH 650V 15A DFN 8X8。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V。

GPI65015DFN 共有 14 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(1.2V @ 3.5mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(3.3 nC @ 6 V)、Vgs (Max)(+7.5V, -12V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(116 pF @ 400 V)、Operating Temperature(-55°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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GPI65015DFN常見問題

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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是鎵能的代理商和供應(yīng)商嗎?
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