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IRFU1010ZPBF 國際整流器單 FET、MOSFET
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IRFU1010ZPBF 國際整流器單 FET、MOSFET

品牌:國際整流器 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
¥3.82

國際整流器 IRFU1010ZPBF 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2840 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)140W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageIPAK (TO-251AA)
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRFU1010ZPBF 國際整流器單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

IRFU1010ZPBF 是由 國際整流器 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 55V 42A IPAK。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。

IRFU1010ZPBF 共有 16 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(7.5mOhm @ 42A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(4V @ 100μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(95 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(2840 pF @ 25 V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 國際整流器:International Rectifier(中文名:國際整流器),作為一家在電子元器件行業(yè)享有盛譽的品牌,憑借其深厚的技術積淀和卓越的產(chǎn)品性能,在全球范圍內(nèi)贏得了廣泛認可。自創(chuàng)立以來,國際整流器始終專注于高端電源管理半導體和功率器件的研發(fā)、制造與銷售,為現(xiàn)代電子設備的發(fā)展注入強大動力。其主營產(chǎn)品類別涵蓋了功率 MOSFET、IGBT、二極管、整流器、電源管理 IC、模擬 IC 以及一系列高集成度的電源模塊等,這些**電子元件**構(gòu)成了各類電子系統(tǒng)中的關鍵組成部分。

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IRFU1010ZPBF常見問題

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