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NP82N055MUG-S18-AY 日電單 FET、MOSFET
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NP82N055MUG-S18-AY 日電單 FET、MOSFET

品牌:日電 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 55V 82A TO220
¥15.41

日電 NP82N055MUG-S18-AY 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C82A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160 nC @ 10 V
Vgs (Max)-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9600 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.8W (Ta), 143W (Tc)
Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220
Package / CaseTO-220-3 Full Pack

NP82N055MUG-S18-AY 日電單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

NP82N055MUG-S18-AY 是由 日電 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 55V 82A TO220。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 41A, 10V。

NP82N055MUG-S18-AY 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(4V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(160 nC @ 10 V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(9600 pF @ 25 V)、Power Dissipation (Max)(1.8W (Ta), 143W (Tc))、Operating Temperature(175°C (TJ)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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NP82N055MUG-S18-AY常見問(wèn)題

NP82N055MUG-S18-AY的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)在哪里下載?
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是日電的代理商和供應(yīng)商嗎?
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