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DI012N60D1 泰迪半導體單 FET、MOSFET
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DI012N60D1 泰迪半導體單 FET、MOSFET

品牌:泰迪半導體 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

泰迪半導體 DI012N60D1 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1210 pF @ 150 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)130W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-252-3, DPak
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DI012N60D1 泰迪半導體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

DI012N60D1 是由 泰迪半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。

DI012N60D1 共有 16 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(260mOhm @ 8A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(4V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(25 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±30V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1210 pF @ 150 V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。

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DI012N60D1常見問題

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