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P3M171K0F3 PN結半導體單 FET、MOSFET
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P3M171K0F3 PN結半導體單 FET、MOSFET

品牌:PN結半導體 分類:單 FET、MOSFET 描述:SICFET N-CH 1700V 5.5A TO-220F-3
¥43.92

PN結半導體 P3M171K0F3 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 2mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)+19V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)51W
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220F-2L
Package / CaseTO-220F-2

P3M171K0F3 PN結半導體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數與選型指南

P3M171K0F3 是由 PN結半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 1700V 5.5A TO-220F-3。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V。

P3M171K0F3 共有 14 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(1.4Ohm @ 2A, 15V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.2V @ 2mA (Typ))、Vgs (Max)(+19V, -8V)、Power Dissipation (Max)(51W)、Operating Temperature(-55°C ~ 175°C (TJ)) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。

關于 PN結半導體:PN Junction Semiconductor,中文名“PN結半導體”,是一家專注于高性能功率半導體器件設計與銷售的創(chuàng)新型企業(yè),采用Fabless(無晶圓廠)模式,致力于為全球客戶提供領先的電子元器件解決方案。品牌自成立以來,便與全球頂級的晶圓代工廠X-FAB建立了深厚的戰(zhàn)略合作伙伴關系。X-FAB作為一家擁有超過30年歷史且完全通過汽車行業(yè)嚴苛認證的晶圓廠,為PN結半導體提供了卓越的硅碳化物(SiC)功率器件制造支持,確保了產品的高品質與可靠性,使其在競爭激烈的元器件市場中脫穎而出。

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