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EPC2302ENGRT 意法半導體單 FET、MOSFET
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EPC2302ENGRT 意法半導體單 FET、MOSFET

品牌:意法半導體 分類:單 FET、MOSFET 描述:TRANS GAN 100V DIE .0019OHM

意法半導體 EPC2302ENGRT 單 FET、MOSFET

EPC2302ENGRT是意法半導體旗下的單 FET、MOSFET 產品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供EPC2302ENGRT現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供EPC2302ENGRT datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。

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規(guī)格參數

Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C101A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 14mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 5 V
Vgs (Max)+6V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 50 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)-
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package7-QFN (3x5)
Package / Case7-PowerWQFN

EPC2302ENGRT 意法半導體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數與選型指南

EPC2302ENGRT 是由 意法半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。TRANS GAN 100V DIE .0019OHM。該器件的核心參數包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V。

EPC2302ENGRT 共有 15 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(1.8mOhm @ 50A, 5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.5V @ 14mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(23 nC @ 5 V)、Vgs (Max)(+6V, -4V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(3200 pF @ 50 V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。

關于 意法半導體:意法半導體(EPC)作為氮化鎵(GaN)功率管理器件領域的創(chuàng)新領導者,始終致力于推動電子元器件技術的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強型氮化鎵硅基(eGaN?)場效應晶體管,成功地將GaN技術應用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET,EPC 的 eGaN? 器件在性能上實現了數倍的飛躍,為眾多尖端應用領域提供了卓越的解決方案。

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EPC2302ENGRT常見問題

EPC2302ENGRT的datasheet數據手冊在哪里下載?
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導體的代理商和供應商嗎?
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