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MTM231230L 松下單 FET、MOSFET
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MTM231230L 松下單 FET、MOSFET

品牌:松下 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1

松下 MTM231230L 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusObsolete
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSMini3-G1
Package / CaseSC-70, SOT-323

MTM231230L 松下單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

MTM231230L 是由 松下 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V。

MTM231230L 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(55mOhm @ 1A, 4V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1.3V @ 1mA)、Vgs (Max)(±10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1000 pF @ 10 V)、Power Dissipation (Max)(500mW (Ta)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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MTM231230L常見問題

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