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APT130SM70J 美高森美單 FET、MOSFET
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APT130SM70J 美高森美單 FET、MOSFET

品牌:美高森美 分類:單 FET、MOSFET 描述:SICFET N-CH 700V 78A SOT227

美高森美 APT130SM70J 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C78A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs270 nC @ 20 V
Vgs (Max)+25V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3950 pF @ 700 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)273W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Supplier Device PackageSOT-227 (ISOTOP?)
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC

APT130SM70J 美高森美單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

APT130SM70J 是由 美高森美 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 700V 78A SOT227。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V。

APT130SM70J 共有 16 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(45mOhm @ 60A, 20V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.4V @ 1mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(270 nC @ 20 V)、Vgs (Max)(+25V, -10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(3950 pF @ 700 V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。

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