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FJ4B01100L1 松下單 FET、MOSFET
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FJ4B01100L1 松下單 FET、MOSFET

品牌:松下 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004

松下 FJ4B01100L1 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusObsolete
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs74mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds459 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)360mW (Ta)
Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageXLGA004-W-0808-RA01
Package / Case4-XFLGA, CSP

FJ4B01100L1 松下單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

FJ4B01100L1 是由 松下 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V。

FJ4B01100L1 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(74mOhm @ 1.5A, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1V @ 1.2mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(7 nC @ 4.5 V)、Vgs (Max)(±8V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(459 pF @ 10 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

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FJ4B01100L1常見問題

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