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TPH3206LDG-TR Transphorm單 FET、MOSFET
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TPH3206LDG-TR Transphorm單 FET、MOSFET

品牌:Transphorm 分類:單 FET、MOSFET 描述:GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN

Transphorm TPH3206LDG-TR 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusObsolete
FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 11A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 500μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 480 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)96W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package3-PQFN (8x8)
Package / Case3-PowerDFN

TPH3206LDG-TR Transphorm單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

TPH3206LDG-TR 是由 Transphorm 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V。

TPH3206LDG-TR 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(180mOhm @ 11A, 8V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.6V @ 500μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(9.3 nC @ 4.5 V)、Vgs (Max)(±18V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(760 pF @ 480 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

關(guān)于 Transphorm:Transphorm (Nasdaq: TGAN) 是一家全球領(lǐng)先的高性能、高可靠性氮化鎵(GaN)**元器件**制造商,專注于高壓**電子元件**的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)與生產(chǎn)。公司擁有業(yè)界規(guī)模龐大的GaN知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合,超過1000項(xiàng)專利,這使其能夠提供行業(yè)內(nèi)最全面的GaN**IC芯片**產(chǎn)品線,覆蓋從45瓦到10千瓦以上廣泛的功率等級(jí),滿足多樣化的應(yīng)用需求。Transphorm的SuperGaN?平臺(tái)核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)顯著,在可制造性、設(shè)計(jì)靈活性、驅(qū)動(dòng)性能和可靠性方面均表現(xiàn)卓越。

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TPH3206LDG-TR常見問題

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