UF3SC065030D8S是科沃旗下的單 FET、MOSFET 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供UF3SC065030D8S現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供UF3SC065030D8S datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 20A, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 12 V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 4-DFN (8x8) |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
UF3SC065030D8S 是由 科沃 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。SICFET N-CH 650V 18A 4DFN。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V。
UF3SC065030D8S 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（42mOhm @ 20A, 12V）、Vgs(th) (Max) @ Id（6V @ 10mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（43 nC @ 12 V）、Vgs (Max)（±25V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1500 pF @ 100 V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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