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MTM861280LBF是松下旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MTM861280LBF現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MTM861280LBF datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 500mA, 4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 540mW (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | WSSMini6-F1 |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
MTM861280LBF 是由 松下 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 20V 1A WSSMINI6-F1。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V。
MTM861280LBF 共有 15 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(420mOhm @ 500mA, 4V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1.5V @ 1mA)、Vgs (Max)(±12V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(80 pF @ 10 V)、Power Dissipation (Max)(540mW (Ta)) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
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