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| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 33 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 3.3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 0.48mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | WMini8-F1 |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
FK8V03060L 是由 松下 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N CH 33V 6.5A WMINI8。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 33 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
FK8V03060L 共有 16 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(20mOhm @ 3.3A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.5V @ 0.48mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(3.8 nC @ 4.5 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(360 pF @ 10 V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
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