HTNFET-DC是霍尼韋爾航空航天旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供HTNFET-DC現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供HTNFET-DC datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 28 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tj) |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | - |
| Package / Case | 8-CDIP Exposed Pad |
HTNFET-DC 是由 霍尼韋爾航空航天 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 55V 8-DIP。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V。
HTNFET-DC 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（2.4V @ 100μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（4.3 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（290 pF @ 28 V）、Power Dissipation (Max)（50W (Tj)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 霍尼韋爾航空航天：Honeywell Aerospace，作為全球領(lǐng)先的航空航天技術(shù)和服務(wù)供應(yīng)商，以其卓越的創(chuàng)新能力和深厚的技術(shù)積淀，在電子元器件領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色。公司數(shù)十年來一直致力于高精度慣性傳感器（IMU）的研發(fā)與生產(chǎn)，并已成功交付超過五十萬個單位，這些核心電子元件廣泛應(yīng)用于當(dāng)今幾乎所有飛行中的飛機(jī)和航天器上，為其提供至關(guān)重要的導(dǎo)航支持。Honeywell Aerospace憑借其在傳感器技術(shù)方面的核心優(yōu)勢，不斷推動航空航天乃至更廣泛工業(yè)領(lǐng)域的進(jìn)步。
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