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HTNFET-TC 霍尼韋爾航空航天單 FET、MOSFET
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HTNFET-TC 霍尼韋爾航空航天單 FET、MOSFET

品牌:霍尼韋爾航空航天 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 55V 4-PIN

霍尼韋爾航空航天 HTNFET-TC 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3 nC @ 5 V
Vgs (Max)10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 28 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)50W (Tj)
Operating Temperature-
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device Package-
Package / Case-

HTNFET-TC 霍尼韋爾航空航天單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

HTNFET-TC 是由 霍尼韋爾航空航天 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 55V 4-PIN。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 100mA, 5V。

HTNFET-TC 共有 12 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(2.4V @ 100μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(4.3 nC @ 5 V)、Vgs (Max)(10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(290 pF @ 28 V)、Power Dissipation (Max)(50W (Tj)) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。

關(guān)于 霍尼韋爾航空航天:Honeywell Aerospace,作為全球領(lǐng)先的航空航天技術(shù)和服務(wù)供應(yīng)商,以其卓越的創(chuàng)新能力和深厚的技術(shù)積淀,在電子元器件領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色。公司數(shù)十年來一直致力于高精度慣性傳感器(IMU)的研發(fā)與生產(chǎn),并已成功交付超過五十萬個單位,這些核心電子元件廣泛應(yīng)用于當今幾乎所有飛行中的飛機和航天器上,為其提供至關(guān)重要的導航支持。Honeywell Aerospace憑借其在傳感器技術(shù)方面的核心優(yōu)勢,不斷推動航空航天乃至更廣泛工業(yè)領(lǐng)域的進步。

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HTNFET-TC常見問題

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