UM6X1NA-TP是微電子元件公司旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供UM6X1NA-TP現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供UM6X1NA-TP datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 300mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.28nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 28pF @ 15V |
| Power - Max | 150mW |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
UM6X1NA-TP 是由 微電子元件公司 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。DUAL N-CHANNEL MOSFET, SOT-563。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V。
UM6X1NA-TP 共有 14 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（1.28nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（28pF @ 15V）、Power - Max（150mW）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
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