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CMLDM5757 TR PBFREE 中央半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
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CMLDM5757 TR PBFREE 中央半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列

品牌:中央半導(dǎo)體 分類:FET、MOSFET 陣列 描述:MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
¥4.61

中央半導(dǎo)體 CMLDM5757 TR PBFREE FET、MOSFET 陣列

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C430mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds175pF @ 16V
Power - Max350mW
Operating Temperature-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageSOT-563

CMLDM5757 TR PBFREE 中央半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

CMLDM5757 TR PBFREE 是由 中央半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 20V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA。

CMLDM5757 TR PBFREE 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(900mOhm @ 430mA, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(1.2nC @ 4.5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(175pF @ 16V)、Power - Max(350mW) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

關(guān)于 中央半導(dǎo)體:Central Semiconductor,中文名「中央半導(dǎo)體」,自1974年起,便致力于為全球電子產(chǎn)品制造創(chuàng)新型分立式半導(dǎo)體元器件。作為業(yè)界資深的電子元件制造商,中央半導(dǎo)體在數(shù)十年的發(fā)展歷程中,憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和對(duì)品質(zhì)的不懈追求,贏得了廣泛的市場(chǎng)認(rèn)可。其核心產(chǎn)品線涵蓋了種類繁多的電子元件,包括但不限于標(biāo)準(zhǔn)及定制化的小信號(hào)晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護(hù)器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。這些高質(zhì)量的IC芯片和分立半導(dǎo)體元件,是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的組成部分。

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CMLDM5757 TR PBFREE常見(jiàn)問(wèn)題

CMLDM5757 TR PBFREE的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)在哪里下載?
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