FCAB21520L1是松下旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供FCAB21520L1現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供FCAB21520L1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1.64mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5250pF @ 10V |
| Power - Max | 3.8W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 10-SMD, No Lead |
| Supplier Device Package | 10-SMD |
FCAB21520L1 是由 松下 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2 N-CHANNEL 10SMD。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1.64mA、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 4V、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250pF @ 10V。
FCAB21520L1 共有 11 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（3.8W (Ta)）、Operating Temperature（150°C）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（10-SMD, No Lead）、Supplier Device Package（10-SMD） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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