NTTFD2D8N03P1E 安森美FET、MOSFET 陣列
安森美 NTTFD2D8N03P1E FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.1A (Ta), 80A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 400μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V |
| Power - Max | 1.04W (Ta), 26W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 12-PowerWQFN |
| Supplier Device Package | 12-WQFN (3.3x3.3) |
NTTFD2D8N03P1E 安森美FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
NTTFD2D8N03P1E 是由 安森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET N-CH 30V 12WQFN。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V。
NTTFD2D8N03P1E 共有 14 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3V @ 400μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V）、Power - Max（1.04W (Ta), 26W (Ta)）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對客戶在各種復(fù)雜設(shè)計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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