IAUC45N04S6L063HATMA1 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列

IAUC45N04S6L063HATMA1 英飛凌科技FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

IAUC45N04S6L063HATMA1 是由 英飛凌科技 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。IAUC45N04S6L063HATMA1。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 40V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tj)。

IAUC45N04S6L063HATMA1 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（6.3mOhm @ 22A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 9μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（13nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（775pF @ 25V）、Power - Max（41W (Tc)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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