AONP36332 萬國半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
萬國半導(dǎo)體 AONP36332 FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 50A (Tc), 20A (Ta), 50A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 20A, 10V, 4.7mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V, 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1520pF @ 15V |
| Power - Max | 3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Supplier Device Package | 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
AONP36332 萬國半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
AONP36332 是由 萬國半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。ASYMMETRIC N。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical、FET Feature: Standard、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 50A (Tc), 20A (Ta), 50A (Tc)。
AONP36332 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（3.7mOhm @ 20A, 10V, 4.7mOhm @ 20A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.9V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（40nC @ 10V, 30nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1520pF @ 15V）、Power - Max（3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 萬國半導(dǎo)體：**萬國半導(dǎo)體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應(yīng)用的功率半導(dǎo)體先驅(qū)**
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