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EPC2103ENGRT 意法半導體FET、MOSFET 陣列
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EPC2103ENGRT 意法半導體FET、MOSFET 陣列

品牌:意法半導體 分類:FET、MOSFET 陣列 描述:GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V

意法半導體 EPC2103ENGRT FET、MOSFET 陣列

EPC2103ENGRT是意法半導體旗下的FET、MOSFET 陣列 產品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供EPC2103ENGRT現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供EPC2103ENGRT datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。

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規(guī)格參數

Product StatusDiscontinued at Digi-Key
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7600pF @ 40V
Power - Max-
Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseDie
Supplier Device PackageDie

EPC2103ENGRT 意法半導體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數與選型指南

EPC2103ENGRT 是由 意法半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V。該器件的核心參數包括:Product Status: Discontinued at Digi-Key、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 80V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V。

EPC2103ENGRT 共有 12 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(2.5V @ 7mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(6.5nC @ 5V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(7600pF @ 40V)、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(Die) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 意法半導體:意法半導體(EPC)作為氮化鎵(GaN)功率管理器件領域的創(chuàng)新領導者,始終致力于推動電子元器件技術的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強型氮化鎵硅基(eGaN?)場效應晶體管,成功地將GaN技術應用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET,EPC 的 eGaN? 器件在性能上實現了數倍的飛躍,為眾多尖端應用領域提供了卓越的解決方案。

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EPC2103ENGRT常見問題

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EPC2103ENGRT的規(guī)格參數有哪些?有哪些替代型號?
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導體的代理商和供應商嗎?
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