APTM100DU18TG是美高森美旗下的FET、MOSFET 陣列 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供APTM100DU18TG現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供APTM100DU18TG datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 21.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 372nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10400pF @ 25V |
| Power - Max | 780W |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP4 |
| Supplier Device Package | SP4 |
APTM100DU18TG 是由 美高森美 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V (1kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V。
APTM100DU18TG 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（372nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（10400pF @ 25V）、Power - Max（780W）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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