BUK6C2R1-55C,118 恩智浦半導體單 FET、MOSFET
恩智浦半導體 BUK6C2R1-55C,118 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 228A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 253 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16000 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Package / Case | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) |
BUK6C2R1-55C,118 恩智浦半導體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
BUK6C2R1-55C,118 是由 恩智浦半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。NEXPERIA BUK6C2R1-55C - 228A, 55。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
BUK6C2R1-55C,118 共有 16 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2.3mOhm @ 90A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.8V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（253 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±16V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（16000 pF @ 25 V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。
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