FW257-TL-E 安森美單 FET、MOSFET
安森美 FW257-TL-E 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 20 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Operating Temperature | 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
| Package / Case | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
FW257-TL-E 安森美單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
FW257-TL-E 是由 安森美 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。FW257 - N-CHANNEL SILICON MOSFET。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V。
FW257-TL-E 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（220mOhm @ 1A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.6V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（13 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（530 pF @ 20 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對客戶在各種復(fù)雜設(shè)計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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