ICE20N60W是艾斯莫斯科技旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供ICE20N60W現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供ICE20N60W datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2064 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 236W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Package / Case | TO-247-3 |
ICE20N60W 是由 艾斯莫斯科技 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。Superjunction MOSFET。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
ICE20N60W 共有 16 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（190mOhm @ 10A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.9V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（59 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（2064 pF @ 25 V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 艾斯莫斯科技：艾斯莫斯科技（IceMOS Technology）是一家源自美國的高壓超結（Superjunction）功率MOSFET元器件供應商。我們深耕半導體領域，致力于通過獨創(chuàng)的IceMOS設計和領先的知識產(chǎn)權，為全球客戶提供卓越的電源管理解決方案，驅動電子系統(tǒng)的能效提升。作為一家專業(yè)的電子元件制造商，艾斯莫斯科技專注于研發(fā)和生產(chǎn)高性能功率器件，其核心產(chǎn)品線涵蓋了從600V到750V的寬電壓范圍，能夠滿足各類嚴苛的工業(yè)及消費電子應用需求。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是艾斯莫斯科技代理商，專業(yè)供應ICE20N60W等單 FET、MOSFET 產(chǎn)品。如您需要ICE20N60W的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術支持。
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