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ICE15N60 艾斯莫斯科技單 FET、MOSFET
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ICE15N60 艾斯莫斯科技單 FET、MOSFET

品牌:艾斯莫斯科技 分類:單 FET、MOSFET 描述:Superjunction MOSFET

艾斯莫斯科技 ICE15N60 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2064 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)156W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220
Package / CaseTO-220-3

ICE15N60 艾斯莫斯科技單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

ICE15N60 是由 艾斯莫斯科技 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。Superjunction MOSFET。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。

ICE15N60 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(250mOhm @ 7.5A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(3.9V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(59 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(2064 pF @ 25 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 艾斯莫斯科技:艾斯莫斯科技(IceMOS Technology)是一家源自美國(guó)的高壓超結(jié)(Superjunction)功率MOSFET元器件供應(yīng)商。我們深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域,致力于通過獨(dú)創(chuàng)的IceMOS設(shè)計(jì)和領(lǐng)先的知識(shí)產(chǎn)權(quán),為全球客戶提供卓越的電源管理解決方案,驅(qū)動(dòng)電子系統(tǒng)的能效提升。作為一家專業(yè)的電子元件制造商,艾斯莫斯科技專注于研發(fā)和生產(chǎn)高性能功率器件,其核心產(chǎn)品線涵蓋了從600V到750V的寬電壓范圍,能夠滿足各類嚴(yán)苛的工業(yè)及消費(fèi)電子應(yīng)用需求。

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ICE15N60常見問題

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