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| Product Status | Active |
| Technology | pHEMT FET |
| Configuration | - |
| Frequency | 3.55GHz |
| Gain | 9dB |
| Voltage - Test | 6 V |
| Current Rating (Amps) | - |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 180 mA |
| Power - Output | 3W |
| Voltage - Rated | 8 V |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | PLD-1.5 |
| Supplier Device Package | PLD-1.5 |
MRFG35003N6T1 是由 飛思卡爾 制造的 RF FET、MOSFET 類電子元器件。RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: pHEMT FET、Frequency: 3.55GHz、Gain: 9dB、Voltage - Test: 6 V、Current - Test: 180 mA。
MRFG35003N6T1 共有 10 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Output(3W)、Voltage - Rated(8 V)、Package / Case(PLD-1.5)、Supplier Device Package(PLD-1.5) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
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