
PTFA181001GL V1 英飛凌科技RF FET、MOSFET
英飛凌科技 PTFA181001GL V1 RF FET、MOSFET
PTFA181001GL V1是英飛凌科技旗下的RF FET、MOSFET 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供PTFA181001GL V1現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供PTFA181001GL V1 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦,原裝正品保障,支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià),發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Technology | LDMOS |
| Configuration | - |
| Frequency | 1.88GHz |
| Gain | 16.5dB |
| Voltage - Test | 28 V |
| Current Rating (Amps) | 1μA |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 750 mA |
| Power - Output | 100W |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 2-Flatpack, Fin Leads |
| Supplier Device Package | PG-63248-2 |
PTFA181001GL V1 英飛凌科技RF FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
PTFA181001GL V1 是由 英飛凌科技 制造的 RF FET、MOSFET 類電子元器件。IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、Technology: LDMOS、Frequency: 1.88GHz、Gain: 16.5dB、Voltage - Test: 28 V、Current Rating (Amps): 1μA。
PTFA181001GL V1 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Test(750 mA)、Power - Output(100W)、Voltage - Rated(65 V)、Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(2-Flatpack, Fin Leads) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 英飛凌科技:**英飛凌科技(Infineon Technologies):驅(qū)動(dòng)未來電子世界的核心力量**
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