BLF8G22LS-205VU 安普隆RF FET、MOSFET

BLF8G22LS-205VU 安普隆RF FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

BLF8G22LS-205VU 是由 安普隆 制造的 RF FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: LDMOS、Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz、Gain: 18.3dB、Voltage - Test: 28 V、Current - Test: 1.2 A。

BLF8G22LS-205VU 共有 11 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Output（50.1W）、Voltage - Rated（65 V）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（SOT-1239B）、Supplier Device Package（CDFM6） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 安普?。?/strong>安普?。ˋmpleon）品牌，自2015年獨(dú)立運(yùn)營(yíng)以來(lái)，已傳承并超越了五十余年射頻功率領(lǐng)域的深厚積淀與領(lǐng)導(dǎo)地位。作為一家專(zhuān)注于高頻應(yīng)用創(chuàng)新的全球性企業(yè)，安普隆致力于通過(guò)先進(jìn)的LDMOS和GaN（氮化鎵）技術(shù)，為構(gòu)建更美好的世界貢獻(xiàn)力量。公司在全球擁有超過(guò)1600名員工，他們以客戶的成功為己任，通過(guò)緊密的合作、伙伴關(guān)系、持續(xù)的創(chuàng)新以及卓越的執(zhí)行力，為客戶提供領(lǐng)先的射頻功率元器件。安普隆提供一系列創(chuàng)新且性能卓越的產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用于4G LTE和5G NR通信基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)、科學(xué)、醫(yī)療、廣播、航空航天及國(guó)防等關(guān)鍵領(lǐng)域。

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