
BLP8G10S-45PGJ 恩智浦半導(dǎo)體RF FET、MOSFET
恩智浦半導(dǎo)體 BLP8G10S-45PGJ RF FET、MOSFET
BLP8G10S-45PGJ是恩智浦半導(dǎo)體旗下的RF FET、MOSFET 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供BLP8G10S-45PGJ現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供BLP8G10S-45PGJ datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦,原裝正品保障,支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià),發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | LDMOS |
| Configuration | - |
| Frequency | 700MHz ~ 1GHz |
| Gain | 21dB |
| Voltage - Test | - |
| Current Rating (Amps) | - |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | - |
| Power - Output | 45W |
| Voltage - Rated | 28 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1223-1 |
| Supplier Device Package | 4-HSOPF |
BLP8G10S-45PGJ 恩智浦半導(dǎo)體RF FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
BLP8G10S-45PGJ 是由 恩智浦半導(dǎo)體 制造的 RF FET、MOSFET 類電子元器件。TRANS LDMOS 45W 4HSOP。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: LDMOS、Frequency: 700MHz ~ 1GHz、Gain: 21dB、Power - Output: 45W、Voltage - Rated: 28 V。
BLP8G10S-45PGJ 共有 9 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Mounting Type(Surface Mount)、Package / Case(SOT-1223-1)、Supplier Device Package(4-HSOPF) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
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