MHE1003NR3 恩智浦半導體RF FET、MOSFET
恩智浦半導體 MHE1003NR3 RF FET、MOSFET
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Technology | LDMOS |
| Configuration | - |
| Frequency | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| Gain | 14.1dB |
| Voltage - Test | 28 V |
| Current Rating (Amps) | 10μA |
| Noise Figure | - |
| Current - Test | 50 mA |
| Power - Output | 53dBm |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | OM-780-2 |
| Supplier Device Package | OM-780-2 |
MHE1003NR3 恩智浦半導體RF FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
MHE1003NR3 是由 恩智浦半導體 制造的 RF FET、MOSFET 類電子元器件。RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: LDMOS、Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz、Gain: 14.1dB、Voltage - Test: 28 V、Current Rating (Amps): 10μA。
MHE1003NR3 共有 12 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Test（50 mA）、Power - Output（53dBm）、Voltage - Rated（65 V）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（OM-780-2） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
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