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AO4818B 萬國半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列
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AO4818B 萬國半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列

品牌:萬國半導(dǎo)體 分類:FET、MOSFET 陣列 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
¥5.83

萬國半導(dǎo)體 AO4818B FET、MOSFET 陣列

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds888pF @ 15V
Power - Max2W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC

AO4818B 萬國半導(dǎo)體FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

AO4818B 是由 萬國半導(dǎo)體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A。

AO4818B 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(19mOhm @ 8A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.4V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(18nC @ 10V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(888pF @ 15V)、Power - Max(2W) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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AO4818B常見問題

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AO4818B的規(guī)格參數(shù)有哪些?有哪些替代型號?
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是萬國半導(dǎo)體的代理商和供應(yīng)商嗎?
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