CSD88537ND 德州儀器FET、MOSFET 陣列
德州儀器 CSD88537ND FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 30V |
| Power - Max | 2.1W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
CSD88537ND 德州儀器FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
CSD88537ND 是由 德州儀器 制造的 FET、MOSFET 陣列 類(lèi)電子元器件。MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V。
CSD88537ND 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3.6V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（18nC @ 10V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1400pF @ 30V）、Power - Max（2.1W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
關(guān)于 德州儀器：德州儀器公司（Texas Instruments Incorporated，簡(jiǎn)稱TI）是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造企業(yè)，專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)模擬集成電路和嵌入式處理器。通過(guò)匯聚全球最杰出的人才，TI不斷創(chuàng)造出塑造科技未來(lái)的創(chuàng)新成果。TI正助力超過(guò)10萬(wàn)名客戶在當(dāng)下變革未來(lái)。
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