CSD86330Q3D 德州儀器FET、MOSFET 陣列
德州儀器 CSD86330Q3D FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 14A, 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 12.5V |
| Power - Max | 6W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerLDFN |
| Supplier Device Package | 8-LSON (3.3x3.3) |
CSD86330Q3D 德州儀器FET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
CSD86330Q3D 是由 德州儀器 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 25V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A。
CSD86330Q3D 共有 15 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（9.6mOhm @ 14A, 8V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.1V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（6.2nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（920pF @ 12.5V）、Power - Max（6W） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。
關于 德州儀器：德州儀器公司（Texas Instruments Incorporated，簡稱TI）是一家全球領先的半導體設計和制造企業(yè)，專注于開發(fā)模擬集成電路和嵌入式處理器。通過匯聚全球最杰出的人才，TI不斷創(chuàng)造出塑造科技未來的創(chuàng)新成果。TI正助力超過10萬名客戶在當下變革未來。
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