CCB021M12FM3 WolfspeedFET、MOSFET 陣列
Wolfspeed CCB021M12FM3 FET、MOSFET 陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.9mOhm @ 30A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 17.7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 162nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4900pF @ 800V |
| Power - Max | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
CCB021M12FM3 WolfspeedFET、MOSFET 陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
CCB021M12FM3 是由 Wolfspeed 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。1200V SIC 6-PACK MODULE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: Silicon Carbide (SiC)、Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.9mOhm @ 30A, 15V。
CCB021M12FM3 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（3.6V @ 17.7mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（162nC @ 15V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（4900pF @ 800V）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Chassis Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 Wolfspeed：Wolfspeed（中文名：Wolfspeed）是全球領(lǐng)先的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術(shù)領(lǐng)域先驅(qū)，致力于為提高能源效率和構(gòu)建可持續(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。作為一家在資本市場備受矚目的公司（紐約證券交易所代碼：WOLF），Wolfspeed在高性能半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域擁有深厚的積淀和廣泛的市場認(rèn)可。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是Wolfspeed代理商，專業(yè)供應(yīng)CCB021M12FM3等FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品。如您需要CCB021M12FM3的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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