2SAR554PFRAT100 羅姆半導體單雙極晶體管
羅姆半導體 2SAR554PFRAT100 單雙極晶體管
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規(guī)格參數
| Product Status | Not For New Designs |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 25mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1μA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
| Power - Max | 500 mW |
| Frequency - Transition | 340MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Supplier Device Package | MPT3 |
2SAR554PFRAT100 羅姆半導體單雙極晶體管 - 規(guī)格參數與選型指南
2SAR554PFRAT100 是由 羅姆半導體 制造的 單雙極晶體管 類電子元器件。TRANS PNP 80V 1.5A MPT3。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、Transistor Type: PNP、Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V、Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA、Current - Collector Cutoff (Max): 1μA (ICBO)。
2SAR554PFRAT100 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce（120 @ 100mA, 3V）、Power - Max（500 mW）、Frequency - Transition（340MHz）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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