UP04878G0L是松下旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供UP04878G0L現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供UP04878G0L datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 3V |
| Power - Max | 125mW |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | SSMini6-F2 |
UP04878G0L 是由 松下 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、FET Feature: Logic Level Gate、Drain to Source Voltage (Vdss): 50V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA。
UP04878G0L 共有 14 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（12Ohm @ 10mA, 4V）、Vgs(th) (Max) @ Id（1.5V @ 1μA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（12pF @ 3V）、Power - Max（125mW）、Operating Temperature（125°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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