MTM684110LBF是松下旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MTM684110LBF現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MTM684110LBF datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 1A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 10V |
| Power - Max | 1W |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package | WMini8-F1 |
MTM684110LBF 是由 松下 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 P-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 12V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1A, 5V。
MTM684110LBF 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1V @ 1mA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1400pF @ 10V）、Power - Max（1W）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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