CTLDM303N-M832DS TR是中央半導體旗下的FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供CTLDM303N-M832DS TR現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供CTLDM303N-M832DS TR datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 10V |
| Power - Max | 1.65W |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-TDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | TLM832DS |
CTLDM303N-M832DS TR 是由 中央半導體 制造的 FET、MOSFET 陣列 類電子元器件。MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Configuration: 2 N-Channel (Dual)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V。
CTLDM303N-M832DS TR 共有 14 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（1.2V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（13nC @ 4.5V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（590pF @ 10V）、Power - Max（1.65W）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 中央半導體：Central Semiconductor，中文名「中央半導體」，自1974年起，便致力于為全球電子產(chǎn)品制造創(chuàng)新型分立式半導體元器件。作為業(yè)界資深的電子元件制造商，中央半導體在數(shù)十年的發(fā)展歷程中，憑借其卓越的技術實力和對品質(zhì)的不懈追求，贏得了廣泛的市場認可。其核心產(chǎn)品線涵蓋了種類繁多的電子元件，包括但不限于標準及定制化的小信號晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管，以及前沿的碳化硅（SiC）器件。這些高質(zhì)量的IC芯片和分立半導體元件，是現(xiàn)代電子設備不可或缺的組成部分。
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